《表1 HCl气抛条件对外延层表面质量的影响Tab.1 The influence of the surface quality of epitaxial layers using HCl gas-p

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《双极IC用双埋层图形衬底制备N/P异型硅外延结构》

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外延层的结晶完整性由表面质量直观反映，与所制器件的漏电、击穿电压等性能密切相关。原始的图形衬底因为前期经历注入工艺，存在表面微损伤、吸附微颗粒等问题。如果不加表面处理直接进行外延生长，结晶质量通常不能满足要求，表面局域区域常存在亮点和凹坑缺陷，严重影响器件的耐压、漏电等性能。为改善表面形貌，除了经历标准RCA清洗之外，还需要在外延生长前采用HCl气体对表面实行气相抛光。由于HCl气抛不足无法有效改善表面质量，而过度气抛将造成表面图形的湮灭和衬底自掺杂效应的增强，不利于参数均匀性的控制，因此需要设计“定制化”的HCl气相抛光条件。本文实验结果如表1所示。