《表1 生长温度对硅外延片表面质量的影响Tab.1 Effect of the growth temperature on the surface quality of the silicon epi

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《200 mm硅外延片厚度和电阻率均匀性工艺调控》

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实验系统研究了外延生长温度1 100~1 160℃对材料晶体质量的影响，缺陷增殖情况统计如表1所示。当生长温度（θ）处于小于1 125℃的低温状态时，外延材料表面呈现结晶状态不良的特点，在聚光灯下观察，外延表面较为粗糙，光学显微镜下观察照片如图4（a）所示。随温度逐渐上升，材料表面缺陷由白色雾状转化为程度较轻的暗红色雾状，同时缺陷存在区域逐渐缩小；当温度升至1 125℃以上时，在聚光灯下无法观测出表面雾缺陷；但是当温度进一步上升，超过1 140℃时，晶圆边缘开始形成滑移线，并随温度上升呈现出密集增殖的趋势，并沿边缘向中心区域急速发展，光学显微镜下观察结果如图4（b）所示，最长滑移线的长度超过5 cm。实验结果表明，生长温度为1 125~1 140℃，可获得镜面光滑的高质量外延生长样品。