《表2 基座与硅片之间温度差值对外延滑移线的影响Tab.2 Effect of the temperature difference between the susceptor and the sil

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《200 mm硅外延片厚度和电阻率均匀性工艺调控》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

实验表明，硅片与基座上下表面的温度差值（Δθ）也直接影响外延材料滑移线的形成，实验通过调节上下层灯管总功率的分配，将硅片与基座之间温度差值分别设定为-10，-15，-20和-25℃，外延后滑移线观察结果如表2所示。由表2可看出，在基座温度高于硅片表面温度10℃以上时，外延材料滑移线逐渐消失，但是对于外延层较厚的2#外延样片，温度差值的工艺窗口较1#薄层外延更窄，因此采用-15~-20℃的温度差值最适合两种外延层高质量生长。通过设计合理的纵向温度梯度，使硅片向基座方向弯曲，更加靠近热的基座表面，从而减少硅片上下两面之间的温度梯度，降低了滑移线及位错的产生概率，同时硅片的温度分布也更为均匀。但是实验结果也表明，随硅片温度或基座温度的进一步升高，硅片单面温度增长过快导致梯度幅度过大，最终集聚的热应力超过滑移位错产生的临界应力，导致滑移线的产生。