《表3 灯管功率分配对表面滑移线的影响Tab.3 Effect of the lamp power distribution on the surface slip》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《200 mm硅外延片厚度和电阻率均匀性工艺调控》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

此外，如表3所示，实验发现加热灯管的横向功率分布配比也会影响基座内硅片的温度梯度分布，进而也会影响基片滑移线的出现和增殖情况。当上部与下部内圈灯管加热功率占比达到46%~50%时判定为合适的工艺窗口，实现基片内外圈加热温度的动态平衡，生长时中心和边缘温度梯度小，当超过这一限度就会因受热不均，应力激增超过临界抗剪应力，引起滑移位错的产生和迅速增殖。