《表2 吹扫过程与外延层电阻率不均匀性的关系Tab.2 The relationship between resistivity nonuniformity of epitaxial layers a

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《双极IC用双埋层图形衬底制备N/P异型硅外延结构》

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附面层虹吸工艺的核心是稀释附面层内的杂质，关键控制参数包括载气流量变化范围、爬坡时间、稳定吹扫时间等，它们各自都会对外延材料的电阻率均匀性有很大的影响。然而，它们的综合作用与单独作用的影响规律会有很大的不同，为此，需要摸索工艺参数综合作用对材料的电阻率均匀性的影响。本项目采用正交试验设计的方法来进行分析。研究范围分别是150~230、150~300和150~350L/min这三组工艺条件；爬坡时间分别采用0.5、1.0和1.5min这三种方式；稳定吹扫时间分别选择1、3和5min；采用3因素、3水平的L9正交表来进行实验分析，结果如表2所示.可知选择将载气H2流量由150~350L/min的范围作周期性往复快速变换，对外延层的电阻率分布起到较为明显的改善作用，最佳工艺条件下实施的片内电阻率不均匀性为1.362%（<1.5%），可以满足了片内均匀性指标要求。