《表5 基座旋转速度和载气流量与外延厚度均匀性的关系Tab.5 Relationship of the susceptor rotation speed and carrier gas flow ra

《表5 基座旋转速度和载气流量与外延厚度均匀性的关系Tab.5 Relationship of the susceptor rotation speed and carrier gas flow ra   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《200 mm硅外延片厚度和电阻率均匀性工艺调控》


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如表5所示,通过对H2总载气流量和基座旋转速度的调制,实现对外延流场结构以及厚度不均匀性的进一步改善,在H2总载气流量为80 L/min,基座旋转速率为35 r/min时,可将厚度不均匀性优化至1%以下,相比于初始设备状态下不均匀性仅小于3%的水平,参数一致性取得了明显的改善。