《表2 AlGaInAs/InP激光器外延结构参数》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《MOCVD生长AlGaInAs/InP多量子阱激光器》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

在生长出高质量的应变补偿多量子阱材料后，进行激光器芯片的制作，芯片设计采用共面电极结构，使得激光器工作的电流无需通过现有技术中的衬底，从而降低了激光器工作电容，其工作电容与传统激光器相比得到相应地减小，对整个高速激光器的光电特性有明显的提高。实验制作出的样片是1.31μm的AlGaInAs/InP应变补偿多量子阱分布反馈式（Distributed Feedback，DFB）激光器芯片，由7组张压应变交替生长的势垒势阱层组成该激光器的有源区。其中，阱层为5nm厚的AlGaInAs层，压应变为1.12%；垒层为9nm厚的AlGaInAs层，张应变为0.4%。采用脊形双沟台结构制作激光器管芯，这样既可以避免湿法腐蚀时对有源区的损伤，也可以避免掩埋结构再生长时对有源区的热损伤，腔长为300μm，脊宽为2.5μm，DFB端面高反膜（High-Reflective Coating，HR）反射率为80~95%，增透膜（Anti-Reflective Coating，AR）透光率为0.1~1%。图2所示为生长的激光器管芯样品电镜扫描图，生长的详细结构参数如表2所示。