《表3 单隧道结半导体激光器外延材料结构示意图》

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《大功率单隧道结半导体激光器的研制》

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采用德国AIXTRON公司的AXT-2400型MOCVD生长了如表3所示的外延材料结构。在衬底（GaAs，Si掺杂，厚度360±10μm，EPD<500cm-2）上依次生长0.5μm厚的GaAs（2×1018 cm-3，Si掺杂）缓冲层；1.4μm厚的Al0.5Ga0.5As（1×1018 cm-3，Si掺杂）下包层；0.6μm厚的Al0.3Ga0.7As（未掺杂）下波导层；10nm厚的InGaAs（未掺杂）有源层；0.4μm厚的Al0.3Ga0.7As（未掺杂）上波导层；1.0μm厚的Al0.5Ga0.5 As（5×1017 cm-3，Zn掺杂）上包层，0.2μm厚的GaAs（2×1019 cm-3，Zn掺杂）帽层。905nm单隧道结半导体激光器通过GaAs隧道结直接将两个单层激光器外延层串联，GaAs隧道结需要极高的掺杂浓度才能有效地实现载流子的隧穿。我们通过σ掺杂使n+型层GaAs掺杂浓度达到5×1018 cm-3（Si掺杂），利用C掺杂使p+型层GaAs掺杂浓度达到1×1020 cm-3。