《表1 3种锥形半导体激光器性能Tab.1 Properties of three kinds tapered laser diode structures》
国外锥形半导体激光器研究起步较早,受制于相关工艺设备和工艺水平的限制,国内研究起步晚,器件性能较国外具有较大差距。尤其是在DBR锥形半导体激光器方面,国外无论是在输出功率还是光束质量方面均具有较高水平,而国内该结构器件几乎无相关报道。同时研究表明侧向光栅条纹锥形激光器在3结构中具有更优的光束质量特性,工艺也相对简单,但主要面临器件功率相对偏低的问题。因此进一步提升侧向光栅条纹锥形激光器的输出功率是国内外研究的热点之一,国内研究者在该领域已经开展了相关的研究并取得了一定的成果,但器件性能仍有较大的提升空间。另一方面,由于光栅设计是光栅类型锥形半导体激光器的关键,但现阶段光栅刻蚀工艺仍存在一定的难度,工艺简单、特性优良的新颖光栅结构设计也是锥形半导体激光器研究热点之一。3种锥形半导体激光器的性能汇总见表1。
图表编号 | XD0047196900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.01 |
作者 | 孙胜明、范杰、徐莉、邹永刚、杨晶晶、龚春阳 |
绘制单位 | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室、长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室、长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室、长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室、长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室、长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 |
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