《表2 两种激光器不同发热功率下出光波长的变化Tab.2 Peak wavelength of the two kind laser under different thermal power》
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其中TJ为结区温度，TX为指定参考点温度，这里指环境温度；对于不同的激光器在相同的热发散功率下，对比TJ-TX的值可以分析半导体激光器的散热能力。表2为室温下，两种激光器在相同热发散功率下器件发光峰值波长λp的变化对比，从表中可以看出随着发热功率的增加二者波长相差越大，当在340 m W的发热功率下，LD-A峰值波长比LD-B要短10.6 nm。实验中我们测得激光器发光波长随温度的变化系数约为0.57nm/℃。以50 m W和340 m W这两个发热功率为参考点对器件热阻做近似计算，从测试结果可得LD-A和LD-B热阻分别为131 K/W和194K/W。半导体二极管反向漏电流Ileak和工作温度近似满足如下关系[16]:
| 图表编号 | XD0017627100 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2018.04.01 |
| 作者 | 薛正群、王凌华、苏辉 |
| 绘制单位 | 中国科学院福建物质结构研究所、中国科学院大学、中国科学院福建物质结构研究所、中国科学院福建物质结构研究所 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
