《表1 两种TO器件单模光纤耦合效率对比Tab.1 SMF coupling efficiency of the LD-A and LD-B devices》

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《反射式倒装对1300 nm激光器性能改善的分析》

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对芯片进行TO-Can器件封装，并在Ith+20 m A电流下对两种激光器进行APC（6°）单模光纤的耦合，TO封装器件到单模光纤（SMF，Single mode fiber）的耦合示意图如图3所示。表1为两种激光器的耦合结果，LD-A和LD-B的平均耦合功率分别为2 326μW和1 850μW，平均耦合效率为26.5%和21.1%；表明采用Au的反射层结构有效降低了芯片Y方向的发散角，提高了单模光纤耦合效率。相应地，该结构对于激光器背光也起到相同的作用。