《表3 半导体激光照射后温度变化》

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《三种激光照射对种植体表面温度变化的体外研究》

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810nm半导体激光输出功率设置0.6W时，激光照射种植体30s后表面温度为44.8±0.2℃；能量参数为1.0W，表面温度达到47.7±0.3℃；能量设置提高到2.0W，种植体表面温度77.9±0.4℃。在低能量设置下，增加10℃骨损伤温度阈值用时48.0±0.3s，而提高能量设置，1.0w和2.0w下种植体表面温度增加10℃的时间分别为29.9±0.2s和7.9±0.3s（表3）。