《表1 905nm单层激光器外延结构》
图3是根据表1所示的外延结构制作的激光二极管P-I特性曲线。从图中可以看出当器件峰值输出功率接近25W时,由于腔面光学灾变损伤,输出光功率无法进一步提高。
图表编号 | XD00188393600 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2018.06.01 |
作者 | 陈健、廖柯、熊煜、周勇、刘尚军 |
绘制单位 | 重庆光电技术研究所、重庆光电技术研究所、重庆光电技术研究所、重庆光电技术研究所、重庆光电技术研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
图3是根据表1所示的外延结构制作的激光二极管P-I特性曲线。从图中可以看出当器件峰值输出功率接近25W时,由于腔面光学灾变损伤,输出光功率无法进一步提高。
图表编号 | XD00188393600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.06.01 |
作者 | 陈健、廖柯、熊煜、周勇、刘尚军 |
绘制单位 | 重庆光电技术研究所、重庆光电技术研究所、重庆光电技术研究所、重庆光电技术研究所、重庆光电技术研究所 |
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