《表1 905nm单层激光器外延结构》

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《大功率单隧道结半导体激光器的研制》


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图3是根据表1所示的外延结构制作的激光二极管P-I特性曲线。从图中可以看出当器件峰值输出功率接近25W时,由于腔面光学灾变损伤,输出光功率无法进一步提高。