《表1 355nm纳秒和1 064 nm皮秒激光器的参数及其切割效果对比》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《碳化硅晶圆划片技术研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

从图1、图2中可以看出，355 nm紫外激光加工热效应小，但未完全气化的熔渣在切割道内粘连堆积，使得切割断面不光滑，附着的熔渣在后续工艺环节容易脱落，影响器件性能。1 064 nm的皮秒激光器采用较大的功率，划切效率高，材料去除充分，断面均匀一致，但加工热效应太大，芯片设计中需要预留更宽的划切道。355 nm纳秒和1 064 nm皮秒激光器的参数及其2种激光器划切准100 mm、厚80μm SiC晶圆的效果如表1所示。