《表1 计算所用的参数表[6]》
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《MOCVD生长AlGaInAs/InP多量子阱激光器》
AlxGayIn1-x-yAs四元化合物应变参数可通过表1[6]中所有二元参数进行线性内插法来确定[7]。
| 图表编号 | XD0021791200 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2018.08.10 |
| 作者 | 朱天雄、贾华宇、李灯熬、罗飚、刘应军 |
| 绘制单位 | 太原理工大学物理与光电工程学院、太原理工大学信息工程学院、太原理工大学信息工程学院、武汉电信器件有限公司、武汉电信器件有限公司 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
