《表1 三种硅外延层电阻率测量方法的对比》
因为QCS设备只能测试硅片近表面电阻率,无法反映出外延层载流子浓度纵向分布的情况,对于产品结构为肖特基或MOS期间的厂商而言,ACV不失为一种既可以测试电阻率又能识别载流子浓度分布的机台。下面主要对这个量测方法进行详细介绍。
图表编号 | XD0058655900 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2019.05.05 |
作者 | 张佳磊 |
绘制单位 | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
因为QCS设备只能测试硅片近表面电阻率,无法反映出外延层载流子浓度纵向分布的情况,对于产品结构为肖特基或MOS期间的厂商而言,ACV不失为一种既可以测试电阻率又能识别载流子浓度分布的机台。下面主要对这个量测方法进行详细介绍。
图表编号 | XD0058655900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.05.05 |
作者 | 张佳磊 |
绘制单位 | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
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