《表1 原始测试数据：高压大功率FRD用硅外延片厚度测量方法》
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如图9所示，选取硅片中心位置测试硅片外延层厚度，连续10次测试计算平均值（avg），并同步计算标准偏差（std），以评估稳定性[9]。原始测试数据如表1所示。
| 图表编号 | XD00116396400 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2019.12.20 |
| 作者 | 潘文宾、黄宇程、王银海、杨帆 |
| 绘制单位 | 南京国盛电子有限公司、南京国盛电子有限公司、南京国盛电子有限公司、南京国盛电子有限公司 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
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