《表1 测试条件:高压大功率器件用高温栅偏测试装置研制》
为验证本测试装置相关功能及长期运行可靠性,采用某国际知名半导体公司的分立式IGBT器件进行验证性测试。本次测试分为3组,每组测试的电气应力不一致,环境温度应力一致。每组包含3个器件,总计9个器件,具体实验条件如表1所示。老化时间1 000 h,测试开始前、后均进行静态参数测试。测试过程中实时监测漏电流变化,漏电流增大为初始值的1倍或大于20 nA时,停止测试。
图表编号 | XD0098133600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.09.05 |
作者 | 邓二平、孟鹤立、王延浩、吴宇轩、赵志斌、黄永章 |
绘制单位 | 新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)、新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)、新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)、新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)、新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)、新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学) |
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