《表2 子单元数量与退饱和电流对比表》
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选择不同数量的并联子单元开展退饱和试验，封装有不同数量子单元的压接型IGBT的退饱和电流试验结果如表2和图18所示。
| 图表编号 | XD0098133500 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.09.05 |
| 作者 | 刘国友、窦泽春、罗海辉、覃荣震、王彦刚 |
| 绘制单位 | 新型功率半导体器件国家重点实验室、株洲中车时代电气股份有限公司、新型功率半导体器件国家重点实验室、中车株洲电力机车研究所有限公司、新型功率半导体器件国家重点实验室、株洲中车时代电气股份有限公司、新型功率半导体器件国家重点实验室、株洲中车时代电气股份有限公司、新型功率半导体器件国家重点实验室、株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
