《表1 待测器件的测试条件及寿命》

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《不同老化试验方法下SiC MOSFET失效机理分析》

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本次试验中所有待测Si C MOSFET器件在两种模式下最终的稳定的试验条件和功率循环寿命见表1，其中最终寿命根据标准定义为通态压降超过初始值5%时对应的循环数[11]。最高结温和最低结温以及结温波动以稳定后的数值为准。从表1可以看出，当最高结温为135℃，结温波动为93K时，正向MOSFET模式下的平均寿命为15 806次，体二极管模式平均寿命为16 372次，两者非常接近。实际上，体二极管模式下当通态压降超过初始值5%，即达到失效标准后，并没有出现急剧升高的现象，而是在很长一段时间内保持稳定，这同样属于有效寿命。如果考虑这部分的循环寿命，体二极管模式下的寿命平均可以达到31 170次，大约是正向MOSFET模式下的两倍。体二极管模式下的寿命偏高，一方面是体二极管模式下的负载电流较小；另一方面则是因为通态压降的负温度特性对老化起到较强的补偿作用。