《表2 测量点位表：高压大功率半导体的参数测量系统设计》

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《高压大功率半导体的参数测量系统设计》

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IGBT模块的内部实际上是由多个MOSFET和PNP晶体管复合而成的一种器件，所以对应的所需测量的寄生电容也很多，表2所示为此次IGBT模块所需的测量点。红棒连接LCR测量仪上的正，黑棒则连接测量仪的负，测量电路通过3个ULN2003驱动各个测量点的继电器进行切换，继电器上并联的led灯则可以清晰的显示测量的点位。测量的数据保存在LCR测量仪中，当所有的点位测量完成时则传给上位机。