《表1 In P单晶片参数及应用情况》

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《InP单晶材料性能及制备方法》

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In P单晶生长制备技术几乎与Ga As同时开始，但由于In P的自身属性导致其单晶成晶率较低、结晶质量也较差、晶体尺寸较小、生长技术发展比较缓慢。随着液封直拉（LEC）技术的发展，大尺寸In P单晶生长成为了可能。曾经使用过的单晶生长方法主要有LEC技术、改进的LEC技术、蒸气压力控制LEC（VCz）或称PC-LEC，也可称为热壁直拉（HW-Cz）技术、垂直梯度凝固（VGF）和垂直布里奇曼（VB或称垂直舟生长）技术、水平布里奇曼（HB）和水平梯度凝固（HGF）技术等[5]。