《表1 切割工艺参数：200mm硅单晶多线切割工艺及损伤层研究》

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《200mm硅单晶多线切割工艺及损伤层研究》

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本实验统一采用直拉法P型<100>、直径为200 mm、电阻率为1～10Ω·cm的硅单晶棒，使用MWM-200DI型多线切割机切割，经不同变速切割工艺后的硅片首先采用ADE9300测试仪对其WARP、BOW、TTV进行测试，其主要切割工艺参数如表1所示。