《表2 各生长方法In P单晶的参数和特性》

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《InP单晶材料性能及制备方法》

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表2所示用各种生长方法拉制的In P单晶参数和特性对比情况，通过对比可以发现，LEC法在晶体直径方面具有较大优势，但由于温度梯度较大的原因，晶体的位错密度较高。VGF法生长的晶体可以将位错密度控制在较低的水平，但晶体直径和生长长度目前还不是很理想，生长效率和成晶率仍有待提高。VCZ法结合了LEC和VGF法的优势，可以获得直径较大晶体质量较好的In P单晶，但由于技术门槛的原因，其大规模推广受到一定的限制。