《表4 2 A100 V SBD EAS特性随p+结和外延层参数的变化Tab.3 Variation of EAScharacteristics with the p+junction and epi

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《功率肖特基二极管反向EOS量化检测及改善》

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温度升高时，pn结耗尽区扩展宽度增加，击穿也增加。不牺牲功率SBD的抗ESD能力和正向导通压降，在p+结深和外延层厚度不变时，通过降低p+环区的浓度，一方面将高温时耗尽区宽度向p+环区扩展，从而增加p+环区高温击穿电压，另一方面增加p+环区和肖特基势垒交界区的电场曲率半径，可小幅度提高抗雪崩能量冲击的能力。表4为2 A 100 V SBD在使用不同参数的外延材料、结深为3.5μm时，p+注入剂量由2×1015cm-2降低到2×1014cm-2，流片后实测常温击穿电压和雪崩能量冲击测试电流（IEAS）（电感量L=2m H） 变化情况。