《表3 采用两种加热线圈生长单晶的结果》

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《区熔硅单晶中的漩涡缺陷及其影响因素》

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采用国产L4375-ZE区熔炉和两种不同设计的静态热场（加热线圈）设计，分别以不同的生长速率生长直径50 mm的单晶，确定两种热场条件下无漩涡缺陷单晶生产的最低速率。图1和图2分别为两种线圈的设计图。两个线圈具有相同的内径和外径，分别为27 mm和96 mm，其最大的不同是线圈的上表面分别采用了台阶设计和斜坡设计。表3为实验结果。