《表1 真空及氩气气氛下生长单晶的缺陷检测结果》

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《区熔硅单晶中的漩涡缺陷及其影响因素》

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采用国产L4375-ZE区熔炉及相同的静态热场（加热线圈）条件，分别在氩气气氛环境下和真空环境下，以不同的晶体生长速率生长直径40 mm的单晶，并从单晶头、尾端面取样检测漩涡缺陷。表1为实验结果。