《表1 少子寿命对比表：晶硅太阳能单晶电池EL缺陷分析研究》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《晶硅太阳能单晶电池EL缺陷分析研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

图1为面状EL发暗缺陷，通过测试分析与正常片相比色度较暗，通过WT1200面少子寿命测试仪器测试，图2显示整体面少子发暗片相比正常片偏低，利用酸溶液抛光电极重新制绒测碘钝化少子寿命，表1显示面状发暗少子寿命明显低于正常片。原料面少子主要与材料存在关联。此种材料缺陷势必导致硅的非平衡少数载流子浓度降低，降低该区域的EL发光强度。此类原材来异常初步认为因拉晶过程引入杂质含量过高引起硅片材料本身缺陷，导致电池片EL测试面状发暗。