《表2 单晶硅太阳电池的模拟极限效率》
对于新型的无掺杂硅异质结电池,2014年,Islam等采用金属氧化物作为新型载流子选择性钝化接触层,降低了载流子在“PN结”中的损失,同时改善了与金属接触的电压降损失,模拟计算的极限效率达到27.98%[21]。表2总结了理想情况下单晶硅太阳电池的理论极限效率。
图表编号 | XD0029105500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.01.10 |
作者 | 陈俊帆、赵生盛、高天、徐玉增、张力、丁毅、张晓丹、赵颖、侯国付 |
绘制单位 | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室、南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室、南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室、南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室、南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室、南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室、南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、天津市光电子薄膜器件与技术重点 |
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