《表2 2号机电性能参数：单晶硅电池制绒工艺研究》

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《单晶硅电池制绒工艺研究》

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在2号机台改变粗抛时间和制绒时间获得不同刻蚀减薄量，A组粗抛时间110s，制绒时间420s；B组粗抛时间130s，制绒时间400s；C组粗抛时间130s，制绒时间420s。表2为2号机台各数据汇总。