《表1 传统扩散结晶硅电池接受多倍太阳光强的1064 nm激光充能时的输出特性》

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《单色近红外激光对晶硅电池光伏特性影响的研究》

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AM 1.5光照条件下传统扩散结晶硅电池（样品#1）的J-V特性曲线如图1a所示，开路电压VOC=643 m V，短路电流密度JSC=42.15 m A/cm2，填充因子FF=76.09%，转换效率η=20.62%。得益于前表面使用宽带隙的Si Nx钝化与减反射层，减少了前表面的寄生吸收与光子的反射，使得电池的短波段量子效率较高；同时Al背场增加了长波光子的利用率，提高了长波量子效率，因而样品#1具有在AM 1.5光照下相对更高的短路电流密度。由量子效率曲线（如图1b）得出传统扩散结晶硅电池在1064 nm处的外量子效率为72.2%。将激光的辐照功率密度设置成AM 1.5功率密度的1、2、5、7、10倍（即100、200、500、700、1000 m W/cm2），测得样品#1在1064 nm激光入射下的输出特性如表1所示，其伏安特性曲线如图2所示。在激光光强成倍增加时，样品#1的短路电流随入射激光功率密度的增加而线性增加，这说明在入射激光功率密度不大于10倍AM 1.5光强时，光生电流密度远小于饱和电流密度。