《表2 常规SHJ电池接受多倍太阳光强的1064 nm激光充能时的电压-电流输出特性》
AM 1.5光照条件下SHJ电池(样品#2)的J-V特性曲线如图3a所示,开路电压VOC=679 m V,短路电流密度JSC=39.77 m A/cm2,填充因子FF=73.28%,转换效率η=19.79%。本征非晶硅薄膜具备高效钝化性能,使样品#2可以得到更高的开路电压。根据电池测量得到的外量子效率曲线(如图3b),样品#2在波长1064 nm处的外量子效率为65%。这部分的光学损失是缘于样品#2采用双面结构,导致部分长波光子从经由背表面透射,使量子效率降低。在激光入射条件下,实验测得样品#2的J-V输出特性在表2中给出,其J-V曲线如图4所示。电池的短路电流密度随激光功率密度的成倍增加而成倍增长,相应地,电池的开路电压也随之增加,填充因子随光生电流的增加而持续减小。由于非晶硅层的载流子迁移率较低,随着光生电流变大,器件中的载流子浓度增大,载流子的迁移率进一步减小,导致器件串联电阻Rs增大;同时载流子散射几率的增大使得横向收集即几率增大,又会使器件的并联电阻Rsh减小。在两者的共同影响下,器件的填充因子随入射光功率的增大而减小,最终导致能量转换效率减小。
图表编号 | XD00196936300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.11.28 |
作者 | 李盛喆、周忠信、陈新亮、赵颖、张晓丹、李高非 |
绘制单位 | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、晋能清洁能源科技股份公司 |
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