《表5 DUT 179#试验样品辐照前后坏块变化数据表》

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《NAND Flash存储器单粒子效应试验研究》

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利用试验获取的数据，计算了不同状态下的单粒子翻转截面。表3和表5分别给出了重离子辐照前后，DUT 180#上4个试验样品和DUT 179#上3个试验样品（另一批次采购）的坏块变化情况。从表中可以看出，重离子辐照可以导致闪存存储器坏块的增加。表4和表6分别给出了重离子辐照后，DUT 180#上4个试验样品和DUT 179#上3个试验样品（另一批次采购）的翻转数据情况。