《表2 不同直径单晶的生长结果》

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《区熔硅单晶中的漩涡缺陷及其影响因素》

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在气氛环境下，采用CFG4/1400P区熔炉和相同的静态热场设计（加热线圈的上表面台阶设计及上、下表面角度设计），以不同的生长速率生长直径50 mm（2英寸）、75 mm（3英寸）及100 mm（4英寸）的单晶，并确定每种直径的单晶生长时，确保其无漩涡缺陷的最低生长速率。表2为实验结果。