《表2 不同条件下水膜、磨料、单晶铜之间的相互作用力》

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《纳米单晶铜磨料磨损的分子动力学研究》

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图3是水膜厚度0.5nm时，载荷为40和60nN、基体滑动速度25 m/s、滑动距离为20nm，材料磨料磨损过程构型，图3中黄色的原子为单晶铜表面以下原子，单晶铜表面及其以上原子根据位移值着色。由图3可知，当载荷为40nN、水膜厚度为0.5nm时，磨料并未压穿水膜与单晶铜基体直接接触，但是从单晶铜的纵截面可以看出已经有铜原子被磨损。图4为水膜厚度0.5nm时，载荷为40和60nN、基体滑动速度25 m/s、滑动距离为20nm，上基体内部瞬时缺陷。由图4可见，当载荷为40nN、水膜厚度为0.5nm时，单晶铜基体在模拟过程中，基体内没有出现非晶态和损伤层的出现，这一现象的发现可为单晶铜在抛光过程中实现有序化的表面提供理论支持。随着载荷的增加，当载荷为60nN时，磨料压穿水膜与单晶铜基体直接接触，基体内部则会出现非晶态和损伤层。但是由于水膜的影响，被磨损的铜原子呈散乱分布。