《表1 单晶铜样品不同拉拔状态参数》

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《单晶铜键合丝退火过程中氧化机理研究》

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为了更好地研究退火过程中单晶铜键合丝的氧化机理，需严格选择研究对象，使结果尽可能少受其他因素的影响。对不同拉拔状态（样品参数见表1）下单晶铜（SCC）的组织进行扫描电镜（SEM）观察，结果如图2所示。观察发现，随着变形量的增加，单晶铜表面腐蚀程度逐渐增加，说明样品内部产生了畸变，耐腐蚀性降低。但腐蚀后样品表面除了腐蚀坑及腐蚀氧化产物外，未出现明显界面，说明拉拔过程中样品未出现新晶界，始终保持单晶状态。