《表4 黄曲霉在含Ag量不同的Ag/NiO复合纳米培养基中生长的菌落直径》

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《载银纳米氧化镍的抗菌性能研究》

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（注：表中数据表示黄曲霉菌落的直径，平均值±标准偏差；同列中不同字母表示差异极显著（p<0.05）。）

对接种到含有不同Ag量Ag/NiO复合纳米的PDA固体平板中央的黄曲霉孢子培养3天和7天后的黄曲霉菌落形状和菌落直径大小如图2、3和表4，随着Ag含量（分别为0%、5%、10%、15%和20%）的增加，其平板上黄曲霉菌落直径显著减少（p<0.05），其中对照组与NiO组、含Ag量为5%组与含Ag量为10%组、含Ag量为15%组与含Ag量为20%组之间没有显著性（p>0.05）。