《表7 性能参数综合指标：一种可校准的高精度低温偏的片内高速振荡设计》

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《一种可校准的高精度低温偏的片内高速振荡设计》

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本设计根据0.11μm CMOS工艺设计规则设计的版图，性能参数综合指标如表7所示。版图设计对电路的性能影响很大，故版图设计中要特别注意器件的匹配性以及全局布线的合理性。版图上比较器和电容组须呈对称布局，电源地两层接触环绕引入供电线，并在电源地之间添加滤波电容，避免高速振荡对电源线上的耦合干扰在电源线上传播。