《表1 各样品Al N/Al Ga N的厚度条件》

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《Si衬底GaN外延生长的应力调控》

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Si基Ga N的结构设计中，Al N/Al Ga N多层缓冲结构的作用主要是利用其相对较小的晶格常数对上部的Ga N提供压应力以平衡Si衬底对于Ga N的张应力而避免裂纹的发生。为了有针对性的研究Al N/Al Ga N多层结构的应力调控效果，A组试验不使用低温Al N插入层，Ga N生长厚度为700 nm，通过Al N/Al Ga N各层厚度的不同搭配研究其对于生长体系张应力的实际调控效果。各样品的生长条件如表1所示。