《表1 B、N、Al、P掺杂二维SiC优化后的结构参数 (X=B、N、Al、P) Tab.1 Structural parameters of B, N, Al, P doped two-dimens

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《掺杂对二维SiC材料光电性质的影响》

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从表1可以看出:B、N、Al、P掺杂后，二维SiC的晶格常数（a、b）、键长及角度θ发生了明显变化。这些变化也可由图1给出的B、N、Al、P掺杂二维SiC优化后的超胞模型直接看出。造成晶格畸变程度不同的原因在于所置换原子的共价半径不同，如C、B、N、Al、P原子的共价半径分别为 。由于B、Al、P三种原子的共价半径比C原子的大，所以B、Al、P掺杂后晶格常数增大、键长dX-Si变长；同时，B、Al、P三种原子与近邻两个Si原子构成的角度θ虽然不是120°，但三个角度之和正好是360°，说明这三种原子掺杂后，SiC仍然是二维平面材料。相反，N原子的共价半径比C原子的小，所以N掺杂后晶格常数减小，但dX-Si键长有的变长，有的变短；同时，N与近邻两个Si原子构成的角度θ虽然不是120°，但三个角度之和不等于360°，说明N原子掺杂后，SiC不是二维的平面材料。