《表2 GGA和LDA-1/2方法计算Ga N, Al N和In N带隙值与其他理论计算值以及实验值的对比Tab.2Comparison of the band gaps by using GGA a

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《"不同构型(In,Al)GaN合金发光机理的第一性原理研究"》

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图2是以Ga N和Al N为例，分别采用GGA和LDA-1/2所计算的的能带修正对比图。如图所示，两种合金的导带底和价带顶均位于布里渊区的г点处，说明Ga N和Al N都为直接带隙半导体材料，且光跃迁最可能出现在倒空间г点的位置，因此，合金光发射主要由来自VBM和导带底（CBM）态附近的电子空穴辐射复合产生。其中（a）、（c）图分别为Ga N、Al N修正前的带隙图，（b） 、（d）图分别为Ga N、Al N修正后的带隙图。由图可知采用LDA-1/2方法修正后的带隙值远大于GGA方法的计算值，与实验值吻合较好。具体计算数据在表2中列出。