《表1 已报道的部分Ga N基反相器IC关键参数对比》

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《GaN单片功率集成电路研究进展》

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此外，2014年，中国电子科技集团公司第55研究所基于MIS凹槽栅技术实现了Vdd为5 V时输出摆幅为3.75 V的Ga N基反相器IC和51级环形振荡器[38]，该环形振荡器基本工作频率为427 MHz，每级延迟仅为0.023 ns。2015年，新加坡国立大学采用MIS凹槽栅和氟离子注入相结合的技术实现了Vdd为10 V、最大输出摆幅为9.66 V、高低电平噪声容限分别为4.9 V和3.2 V的Ga N基反相器IC[39]。图9展示了该反相器在输入100 k Hz方波信号时的输入和输出波形。2018年ZHU等采用MIS凹槽栅工艺基于反相器结构实现了非门、与非门和或非门3种逻辑门电路，并且该数字逻辑IC在高温下仍然保持良好特性[19]。表1给出了部分报道的Ga N基单片集成反相器IC的工艺性能等关键参数的对比总结，其中NMOS逻辑是Ga N基集成电路常用逻辑，但无法实现如CMOS逻辑一样的轨对轨输出，始终存在一定的功率损耗。