《表2 已报道的部分Ga N基功率变换IC关键参数对比》

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《GaN单片功率集成电路研究进展》

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表2总结了2008年以来部分团队发表的关于全Ga N单片集成功率变换器的工作成果。从表中可以了解到全Ga N功率变换IC的集成度在逐渐增加，2015年前Ga N基功率变换IC主要集成相对简单的功率变换开关模块或栅驱动模块，2015年后开始出现集成电路更复杂完善、功能更丰富的全Ga N式功率变换器。对比表中采用不同工艺的全Ga N功率变换IC的性能可知，采用耗尽型HEMT工艺的全Ga N集成功率变换器IC的工作频率相对更高甚至能达到上百兆赫兹，而采用增强型HEMT工艺的全Ga N集成功率变换器IC的工作频率主要集中在1 MHz左右，但在600 V量级的高压、高频领域具有更大的应用潜力和优势。