《表3 次级侧Si和Ga N器件》

《表3 次级侧Si和Ga N器件》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
本系列图表出处文件名:随高清版一同展现
《高频LLC谐振变换器的节能降损研究》


  1. 获取 高清版本忘记账户?点击这里登录
  1. 下载图表忘记账户?点击这里登录

通过应用分析法比较LLC谐振变换器中的特定Ga N和Si器件的特点,选择实现最低损耗的器件,并且为次级侧选择4个并联器件。设备关键参数如表2和表3所示,将考虑包括导通损耗、驱动损耗和关断损耗在内的装置损耗。