《表1 Ga N材料与Ga As、Si材料的比较》

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《20～1000 MHz 100 W GaN宽带功率放大器研制》

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Ga N被称为第三代半导体材料，具有宽禁带和高击穿场强的特性。随着其材料与工艺的成熟，Ga N HEMT的可靠性不断提高[10]，已经逐渐在军民用领域得到认可[11-12]。Ga N的材料特性与Ga As、Si的比较[13]如表1所示。