《表1 2×2 TR+Ga As的合封芯片指标》
TR组件的核心部分为芯片,主要为硅基多功能芯片以及Ga As收发芯片。采用的多功能芯片为2×2的四通道TR收发芯片(Tx/Rx),该架构与文献[8]中介绍的内容类似(为简洁起见,未显示)。在硅基多功能芯片以及Ga As收发芯片的基础上,使用Fan_out的方式进行混合封装,实现硅基芯片与Ga As芯片的一体化封装,一颗该封装芯片可以实现4个通道的收发馈电。该合封芯片的指标如表1所示。每个Ka波段波束形成器包含4个Tx/Rx通道,每个通道包含一个6位移相器、5位可变衰减器、一个PA和LNA。收发芯片每个发射通道具有P1d B输出功率20 d Bm,接收通道有24 d B增益。数字控制该芯片通过串行接口(SPI)实现。
图表编号 | XD00187868200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.12.06 |
作者 | 刘雪颖 |
绘制单位 | 成都瑞迪威科技有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |