《表1 In0.53Ga0.47As衬底上几种氧化物材料的禁带宽度和能带排列》
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《X射线光电子能谱法研究In_(0.53)Ga_(0.47)As基Er_2O_3薄膜的能带排列》
表1所示为In0.53Ga0.47As衬底上几种氧化物材料的禁带宽度和能带排列。可以得出Er2O3具有比其他氧化物材料更大的导带偏移和价带偏移，这表明Er2O3更适合作为In0.53Ga0.47As基的MOS器件的栅极电介质材料。
| 图表编号 | XD0051421500 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.07.15 |
| 作者 | 潘小杰、徐海涛、姚博、朱燕艳、曾丽雅、方泽波 |
| 绘制单位 | 上海电力学院、绍兴文理学院、绍兴文理学院、绍兴文理学院、上海电力学院、绍兴文理学院、绍兴文理学院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
