《表2 纯CeO2和GO/CuO/CeO2复合样品的禁带宽度》

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《[BMIM]PF6离子液体中GO/CuO/CeO_2催化剂的制备及可见光活性》

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式中:α是吸光系数；h是普朗克常数；ν是光的频率；A是半导体材料常数；EG是半导体禁带宽度；n是常数（本实验中n=4）[29]，以（αhν）2为纵坐标，hν为横坐标绘制拟合曲线，见图4a、b中插图，曲线的切线与横坐标的截距即为该材料的禁带宽度EG，各EG值如表2所示。