《表2 不同Zr4+取代量的(Ba0.97Eu0.03)(Mg(1–x)/3Nb2(1–x)/3Zrx)O3荧光粉的禁带宽度》

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《Zr~(4+)取代对Ba(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3:Eu~(3+)荧光粉结构和荧光特性的影响》

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其中：α为材料的吸收系数；Rx为材料的漫反射率；h为Planck常数；ν为光的频率；A为比例系数；Eg为材料的禁带宽度；n为常数，n的值取决于材料是直接带隙还是间接带隙，当材料为间接带隙时，n=2；当材料为直接带隙时，n=1/2，由魏宾等[4]的研究可知：BMN的带隙为间接带隙，故取n=2。由式（1）与式（2）得出的（吸收系数×光子能量）1/2与光子能量的关系曲线如图5插图所示，曲线的切线与X轴的交点值即为样品的禁带宽度大小见表2。从表2可以看出，在未加入Zr4+时，BMN:Eu体系的禁带宽度为3.90 e V，随着Zr4+含量的增加，BMZxN:Eu的粉末样品的禁带宽度先减小，在x=0.05时晶体已经从六方相转变为立方相，禁带宽度此时达到最低值3.41 eV，吸收边λ0从317.95 nm移动到363.64 nm。此后随着Zr4+含量的进一步增加，体系的禁带宽度开始逐渐增加，吸收边在加入Zr4+后在近紫外光区发生略微蓝移，λ0从363.64 nm移动到354.29 nm，体系光吸收主要集中在紫外光区域，与计算结果一致。