《表1 β-Ga2O3与其他半导体材料特性对比[24]Tab.1 Characteristics comparison betweenβ-Ga2O3and other semiconductor ma
不过,β-Ga2O3材料的劣势在于其电子迁移率和热导率与Ga N和Si C等相比较低,限制了其在高频大功率器件的应用[23],β-Ga2O3半导体材料与其他半导体材料特性对比见表1[24]。
图表编号 | XD00188425200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.04.03 |
作者 | 孙学耕、张智群 |
绘制单位 | 厦门海洋职业技术学院、福建信息职业技术学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |